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SI4925DDY-T1-GE3中文资料

SI4925DDY-T1-GE3图片

SI4925DDY-T1-GE3外观图

  • 大小:88.8KB
  • 厂家:Vishay
  • 描述: MOSFET, PP-CH, 30V, 8A, SO8; Module Configuration:Dual; Transistor Polarity:P Channel; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):24mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-3V; Power Dissipation Pd:5W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; Current Id Max:-8A; Voltage Vgs Max:20V
  • 标准包装:2,500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:TrenchFET®
  • FET 型:2 个 P 沟道(双)
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:29 毫欧 @ 7.3A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:50nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:1350pF @ 15V
  • 功率 - 最大:5W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装:8-SOIC(窄型)
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:SI4925DDY-T1-GE3-NDSI4925DDY-T1-GE3TR

SI4925DDY-T1-GE3供应商

更新时间:2023-01-12 03:26:17
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